陜西碳化硅器件測(cè)試儀1、設(shè)備功能 適用于傳統(tǒng)硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試 2、運(yùn)行條件 溫度：25±5℃ 相對(duì)濕度：<60%，在或/低于30℃ 通風(fēng)條件：設(shè)備四面距離墻面大于5cm 交流電源：220V±10%，47-63Hz，良好的測(cè)試儀器接地 3、可測(cè)試器件種類(lèi)及參數(shù) 1）、二極管：DIODE 測(cè)試參數(shù)：IR、BVR、VF 2)、晶體管：TRANSISTOR(NPN型/PNP型) 測(cè)試參數(shù)：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON) 3)、穩(wěn)壓（齊納）二極管：ZENER 測(cè)試參數(shù)：IR、VZ、MIN、VZ MAX、VF 4)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管：J-FET(N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型) 測(cè)試參數(shù)：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFs 5）、MOS場(chǎng)效應(yīng)管：POWER MOSFET(N-溝/P-溝) 測(cè)試參數(shù)：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON、VF、IDON、VGSON、RDSON、gFs 6）、三端穩(wěn)壓器：REGULATOR（正電壓/負(fù)電壓，固定/可變） 測(cè)試參數(shù)：VOUT、IIN 7）、光電耦合器：OPTP-COUPLER（NPN型/PNP型） 測(cè)試參數(shù)：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF 8)、可控硅整流器（普通晶閘管）：SCR 測(cè)試參數(shù)：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH 9)、雙向可控硅（雙向晶閘管）：TRIAC 測(cè)試參數(shù)：IDRM、IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+、VT-、I