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4N60TO251MOS場(chǎng)效應(yīng)管芯片

  • 價(jià)格

    面議

  • 起訂量

    1

  • 庫(kù)存總量

    9999
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認(rèn)證資料 Certification Data

深圳市海美思信息技術(shù)有限公司

  • 聯(lián)系人：黎小姐
  • 官網(wǎng)地址：www.hxbuy.com
  • 主營(yíng)產(chǎn)品：放大器芯片生產(chǎn)廠家,放電路芯片批發(fā)價(jià),并聯(lián)穩(wěn)壓芯片供應(yīng)商,整流橋堆芯片,深圳電壓比較器芯片
  • 所在地：廣東省#廣東省廣東省深圳市福田區(qū)新亞洲電子商城一期6樓
  • 供應(yīng)產(chǎn)品：164
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產(chǎn)品詳情

Product details

4N60是一款高壓MOSFET，專為此而設(shè)計(jì)具有更好的特性，如切換時(shí)間快，門極低充電，低導(dǎo)通電阻和高崎嶇的雪崩特點(diǎn)。該功率MOSFET通常以高速度使用開關(guān)應(yīng)用在電源，PWM電機(jī)控制，高的DC到DC轉(zhuǎn)換器和橋接電路。4N60特征有：RDS（ON）=2.5Ω@VGS=10V，超低柵極電荷（典型15nC）等，4N60采用TO251和TO252封裝形式

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