三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān)。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān)。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān)。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放

肖特基二極管的檢測方法： 下面通過一個實例來介紹檢測肖特基二極管的方法。檢測內(nèi)容包括：①識別電極；②檢查管子的單向?qū)щ娦?；③測正向?qū)航礦F；④測量反向擊穿電壓VBR。 被測管為B82-004型肖特基

肖特基二極管的優(yōu)點： 具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器

肖特基二極管的作用： 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V

肖特基二極管的作用： 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V

肖特基二極管的作用： 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V

肖特基二極管的作用： 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V

肖特基二極管的作用： 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V

肖特基二極管的作用： 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V

開關(guān)二極管。常用的開關(guān)二極管有PN結(jié)二極管、PIN二極管和肖特基勢壘二極管,主要用于電子計算機、各種自動控制系統(tǒng)和微波電路中。開關(guān)二極管的開關(guān)時間主要由通態(tài)到關(guān)態(tài)的過渡時間決定，這個時間又稱反向恢復時

整流二極管一般用在開關(guān)電源的整流。 開關(guān)電源中，損失的電能大部分消耗在整流二極管上，二極管通常是指導通電壓低（普通整流二極管0.7V～1.2V,肖特基二極管0.4V左右）的二極管。它的材料與普通二極管

肖特基二極管的缺點： 肖特基二極體的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實

肖特基二極管的特點： 肖特基二極管的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于肖特基二極管是一種多數(shù)

肖特基二極管的封裝： 肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩

肖特基二極管的缺點： 肖特基二極體的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對稱的NPN型晶體管。 廣東固锝電子科

TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)或稱瞬變電壓抑制二極管是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新產(chǎn)品，其電路符號和普通穩(wěn)壓二極管相同,外形也與普通二極管無異,當TVS管兩端

肖特基二極管的優(yōu)點： 具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器

肖特基二極管的結(jié)構(gòu)： 新型高壓肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)肖特基二極管是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為硅（Si）或砷化鎵（GaAs

肖特基二極管的結(jié)構(gòu)： 新型高壓肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)肖特基二極管是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為硅（Si）或砷化鎵（GaAs

肖特基二極管的結(jié)構(gòu)： 新型高壓肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)肖特基二極管是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為硅（Si）或砷化鎵（GaAs

穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓

開關(guān)二極管。常用的開關(guān)二極管有PN結(jié)二極管、PIN二極管和肖特基勢壘二極管,主要用于電子計算機、各種自動控制系統(tǒng)和微波電路中。開關(guān)二極管的開關(guān)時間主要由通態(tài)到關(guān)態(tài)的過渡時間決定，這個時間又稱反向恢復時

肖特基二極管的原理： 肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省

肖特基二極管的原理： 肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省

肖特基二極管的原理： 肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省

肖特基二極管的原理： 肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省

快速恢復整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復二極管，這是因為普通整流二極管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當工作頻率在幾十至幾百kHz時，正