BGO閃爍晶體價格鍺酸鉍閃爍體BGO是一種較新的閃爍體,符號為BGO。它的阻止本領(lǐng)高,閃爍衰減時間短,余輝小,化學(xué)性能穩(wěn)定,機(jī)械強(qiáng)度好,因而獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。BGO的閃爍衰減時間為0.3μs,發(fā)
鍺酸鉍閃爍晶體鍺酸鉍閃爍體BGO是一種較新的閃爍體,符號為BGO。它的阻止本領(lǐng)高,閃爍衰減時間短,余輝小,化學(xué)性能穩(wěn)定,機(jī)械強(qiáng)度好,因而獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。BGO的閃爍衰減時間為0.3μs,發(fā) 射
鍺酸鉍閃爍體鍺酸鉍閃爍體BGO是一種較新的閃爍體,符號為BGO。它的阻止本領(lǐng)高,閃爍衰減時間短,余輝小,化學(xué)性能穩(wěn)定,機(jī)械強(qiáng)度好,因而獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。BGO的閃爍衰減時間為0.3μs,發(fā) 射波
BGO閃爍晶體材料鍺酸鉍閃爍體BGO是一種較新的閃爍體,符號為BGO。它的阻止本領(lǐng)高,閃爍衰減時間短,余輝小,化學(xué)性能穩(wěn)定,機(jī)械強(qiáng)度好,因而獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。BGO的閃爍衰減時間為0.3μs,發(fā)
BGO閃爍晶體鍺酸鉍閃爍體BGO是一種較新的閃爍體,符號為BGO。它的阻止本領(lǐng)高,閃爍衰減時間短,余輝小,化學(xué)性能穩(wěn)定,機(jī)械強(qiáng)度好,因而獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。BGO的閃爍衰減時間為0.3μs,發(fā) 射
純碘化銫晶體碘化銫閃爍晶體可分為Tl激 活、Na激 活和純碘化銫三種,其化學(xué)式分別為CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI,它們均為無色透明的立方晶體。CsI(Tl)晶體的光輸出可達(dá)NaI(Tl)晶
碘化銫閃爍體價格 CsI(Na)的發(fā)光效率與NaI(Tl) 接近,發(fā) 射光譜的主峰位在420nm,更容易與光電倍增管配合;溫度效應(yīng)好。特別適合于在高溫環(huán)境和空間科學(xué)研究中使用。它的缺點是在低能(20k
碘化銫晶體價格碘化銫閃爍晶體可分為Tl激 活、Na激 活和純碘化銫三種,其化學(xué)式分別為CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI,它們均為無色透明的立方晶體。CsI(Tl)晶體的光輸出可達(dá)NaI(Tl)
碘化銫閃爍體碘化銫閃爍晶體可分為Tl激 活、Na激 活和純碘化銫三種,其化學(xué)式分別為CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI,它們均為無色透明的立方晶體。CsI(Tl)晶體的光輸出可達(dá)NaI(Tl)晶
碘化銫閃爍晶體碘化銫閃爍晶體可分為Tl激 活、Na激 活和純碘化銫三種,其化學(xué)式分別為CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI,它們均為無色透明的立方晶體。CsI(Tl)晶體的光輸出可達(dá)NaI(Tl)
PMTs光電倍增管價格光電倍增管GDB是一種把光子入射到光陰極上產(chǎn)生光電子,光電子通過輸入電子光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)入倍增系統(tǒng),在經(jīng)過二次發(fā) 射多次倍增后由陽極收集起來,形成輸出電流或電壓。廣泛應(yīng)用到光子計數(shù)、閃
光電倍增管GDB光電倍增管GDB是一種把光子入射到光陰極上產(chǎn)生光電子,光電子通過輸入電子光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)入倍增系統(tǒng),在經(jīng)過二次發(fā) 射多次倍增后由陽極收集起來,形成輸出電流或電壓。廣泛應(yīng)用到光子計數(shù)、閃爍計數(shù)
光電倍增管電子器件光電倍增管GDB是一種把光子入射到光陰極上產(chǎn)生光電子,光電子通過輸入電子光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)入倍增系統(tǒng),在經(jīng)過二次發(fā) 射多次倍增后由陽極收集起來,形成輸出電流或電壓。廣泛應(yīng)用到光子計數(shù)、閃爍計
光電倍增晶體管光電倍增管GDB是一種把光子入射到光陰極上產(chǎn)生光電子,光電子通過輸入電子光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)入倍增系統(tǒng),在經(jīng)過二次發(fā) 射多次倍增后由陽極收集起來,形成輸出電流或電壓。廣泛應(yīng)用到光子計數(shù)、閃爍計數(shù)、
PMTs光電倍增管光電倍增管GDB是一種把光子入射到光陰極上產(chǎn)生光電子,光電子通過輸入電子光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)入倍增系統(tǒng),在經(jīng)過二次發(fā) 射多次倍增后由陽極收集起來,形成輸出電流或電壓。廣泛應(yīng)用到光子計數(shù)、閃爍計
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